IRF540ZPBF vs IRFB4110PBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF540ZPBF بذریعہ Infineon اور IRFB4110PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF540ZPBF | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | — | In Stock |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $1.55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF540ZPBF | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS) | HEXFET (planar DMOS) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C | 36 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V | 26.5 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 42 nC | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25C | 92 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج | TO-220AB (through-hole, 3-lead) | TO-220AB (through-hole) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (Pb-free suffix) |
| Lead-Free | Yes | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |
| Automotive Qualified | Yes (per datasheet description) | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 370 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |