IRF540ZPBF vs IRFB4110PBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF540ZPBF द्वारा Infineon और IRFB4110PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF540ZPBF | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $1.55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF540ZPBF | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS) | HEXFET (planar DMOS) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C | 36 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V | 26.5 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 42 nC | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25C | 92 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | TO-220AB (through-hole, 3-lead) | TO-220AB (through-hole) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (Pb-free suffix) |
| Lead-Free | Yes | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |
| Automotive Qualified | Yes (per datasheet description) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 370 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +175 °C |