ISC011N04NM7VATMA1 vs BSC005N03LS5IATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC011N04NM7VATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC005N03LS5IATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISC011N04NM7VATMA1 | BSC005N03LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 256 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.1 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 136 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | Up to 3.2 V | — |
| Technology | Trench MOSFET, silicon | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8 (source-down) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Short-Circuit Withstand | Yes (current-limited) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (per Infineon product page) | — |
| MSL লেভেল | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Part Number | — | BSC005N03LS5IATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 433 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V (typ) at VGS = 10 mA |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 188 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 °C to +175 °C |
| Polarity | — | N-Channel |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant (per LCSC listing) |