ISC011N04NM7VATMA1 vs BSC005N03LS5IATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC011N04NM7VATMA1 द्वारा Infineon और BSC005N03LS5IATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC011N04NM7VATMA1 | BSC005N03LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 256 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.1 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 136 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | Up to 3.2 V | — |
| Technology | Trench MOSFET, silicon | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| पैकेज | PG-TDSON-8 (source-down) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Short-Circuit Withstand | Yes (current-limited) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (per Infineon product page) | — |
| MSL स्तर | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Part Number | — | BSC005N03LS5IATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 433 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V (typ) at VGS = 10 mA |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 188 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +175 °C |
| Polarity | — | N-Channel |
| RoHS स्थिति | — | Compliant (per LCSC listing) |