ISC015N03LF2SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC015N03LF2SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISZ028N03LF2SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 - 30V 128A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISC015N03LF2SATMA1 | ISZ028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS™ 2 (<= 40 V trench) | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 43 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 214 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.35 V | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 125 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) | PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C | -55C to +175C (junction, typical) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 128 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 22 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.35 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 2.8 mΩ |
| Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (logic level at 4.5 V) |
| MSL লেভেল | — | 1 |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |