ISC015N06NM5ATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC015N06NM5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC016N06NSTATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
ISC015N06NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার ISC015N06NM5ATMA1 BSC016N06NSTATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C 259 A —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 1.5 mOhm —
Total Power Dissipation (TA) 3 W —
Total Power Dissipation (TC) 188 W —
প্যাকেজ PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +175 C -55 C to +150 C
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) 1 —
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
FET Type — N-Channel
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
MSL লেভেল — [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free — Yes
Series — OptiMOS

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট