ISC088N08NM6ATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC088N08NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC050N04LSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
ISC088N08NM6ATMA1 ISC088N08NM6ATMA1 - 80V 8.8mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

ISC088N08NM6ATMA1 - 80V 8.8mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

ISC088N08NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার ISC088N08NM6ATMA1 BSC050N04LSGATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 C 12.1 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 59 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 8.8 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Ta=25 C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C 71 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55 C to +175 C —
প্যাকেজ PG-TDSON-8 FL PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (per distributor listings) Compliant
Technology Trench-gate OptiMOS 6 OptiMOS 3 (trench MOSFET)
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +150C
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট