ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISC015N03LF2SATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISZ033N03LF2SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC015N03LF2SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
ISZ033N03LF2SATMA1 - 30V 109A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
ISZ033N03LF2SATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISZ033N03LF2SATMA1 | ISC015N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 20 A | 43 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 109 A | 214 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 71 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V max @ 30 uA | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 C to +175 C | — |
| প্যাকেজ | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) | PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS™ 2 (<= 40 V trench) |
| Channel Type | — | N-Channel |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2.35 V |
| Power Dissipation at TA=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC=25C | — | 125 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55C to +175C |
| Lead-Free | — | Yes |