ISZ230N10NM6ATMA1 vs BSC109N10NS3GATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISZ230N10NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC109N10NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSC109N10NS3GATMA1 - 100V 63A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC109N10NS3GATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISZ230N10NM6ATMA1 | BSC109N10NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 7.7 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 31 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 23 mΩ (typ, ID=10A) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 3.3 V (typ at 13 µA) | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 3 |
| প্যাকেজ | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +150 °C (junction) | -55C to +175C |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| MSL লেভেল | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Family | OptiMOS 6 (100V class) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 63 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 78 W |
| RDS(on) Max | — | 10.9 mOhm at VGS=10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | 26 nC |
| পিন সংখ্যা | — | 8 |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |