ISZ230N10NM6ATMA1 vs BSC109N10NS3GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של ISZ230N10NM6ATMA1 מאת Infineon ו BSC109N10NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | ISZ230N10NM6ATMA1 | BSC109N10NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 7.7 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 31 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 23 mΩ (typ, ID=10A) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 3.3 V (typ at 13 µA) | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 3 |
| מארז | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +150 °C (junction) | -55C to +175C |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| רמת MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Family | OptiMOS 6 (100V class) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 63 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 78 W |
| RDS(on) Max | — | 10.9 mOhm at VGS=10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | 26 nC |
| מספר פינים | — | 8 |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |