K4A4G165WD-BCTD vs MT40A256M16GE-075E:B তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A4G165WD-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও MT40A256M16GE-075E:B নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCTD K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD ✓ সক্রিয়
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A4G165WD-BCTD MT40A256M16GE-075E:B
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) — $3.95
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
সংগঠন 256M x 16 256M x 16
ডেটা রেট 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) 2666 MT/s (DDR4-2666)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Core Supply (VPP) 2.5 V —
ইন্টারফেস SSTL-12 —
Data Mask Yes (DM per byte lane) —
Bank Architecture 16 banks / 4 bank groups —
প্যাকেজ 96-ball FBGA 96-FBGA (9 x 14 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount (BGA) Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা 0C to +85C (commercial) [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade]
On-Die Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes (external RZQ resistor) —
CRC / CA Parity CRC read/write support —
Reset Asynchronous reset (RESET_n) —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] —
মেমরি সাইজ — 4 Gbit
Memory Interface — Parallel
Clock Frequency — 1.33 GHz
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
Internal Banks — 16
Refresh — 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C
I/O Type — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable generation
Special Features — Temperature controlled refresh (TCR)
Access Time — [DATA_NEEDED: CAS latency / access time]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট