K4A4G165WD-BCTD vs MT40A256M16GE-075E:B موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WD-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A256M16GE-075E:B بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G165WD-BCTD | MT40A256M16GE-075E:B |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $3.95 |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Core Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| انٹرفیس | SSTL-12 | — |
| Data Mask | Yes (DM per byte lane) | — |
| Bank Architecture | 16 banks / 4 bank groups | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9 x 14 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C (commercial) | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes (external RZQ resistor) | — |
| CRC / CA Parity | CRC read/write support | — |
| Reset | Asynchronous reset (RESET_n) | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| میموری سائز | — | 4 Gbit |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Internal Banks | — | 16 |
| Refresh | — | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable generation |
| Special Features | — | Temperature controlled refresh (TCR) |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] |