K4A4G165WE-BCTD vs K4A4G165WF-BCWE তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A4G165WE-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A4G165WF-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung
K4A4G165WE-BCTD ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A4G165WE-BCTD | K4A4G165WF-BCWE |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | DRAM | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | — | In Stock |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $10.65 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| ইন্টারফেস | Parallel, x16 | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Die Generation | E-die | Samsung F-die |
| প্যাকেজ | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 (TFBGA) |
| Terminal Count | 96 | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C | 0C to +85C |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Product Status | Active | — |
| Datasheet Revision | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 | — |
| Burst Length | BL8 (JEDEC DDR4) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| সংগঠন | — | 256M x 16 |
| ডেটা রেট | — | 3200 Mbps |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Access Time | — | 19 ns |
| Data Mask | — | Supported (DM) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT supported |
| CRC | — | Supported |
| Auto Precharge | — | Supported |
| Asynchronous Reset | — | Supported |