K4A4G165WE-BCTD vs K4A4G165WF-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G165WE-BCTD द्वारा Samsung Electronics और K4A4G165WF-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung
K4A4G165WE-BCTD ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G165WE-BCTD | K4A4G165WF-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $10.65 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel, x16 | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Die Generation | E-die | Samsung F-die |
| पैकेज | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 (TFBGA) |
| Terminal Count | 96 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | 0C to +85C |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Product Status | Active | — |
| Datasheet Revision | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 | — |
| Burst Length | BL8 (JEDEC DDR4) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| डेटा दर | — | 3200 Mbps |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Access Time | — | 19 ns |
| Data Mask | — | Supported (DM) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT supported |
| CRC | — | Supported |
| Auto Precharge | — | Supported |
| Asynchronous Reset | — | Supported |