K4B4G1646D-BFMA vs K4B4G1646E-BYK0 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646D-BFMA নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4B4G1646E-BYK0 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4B4G1646D-BFMA | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ডেটা রেট | 1866 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.5V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| CAS লেটেন্সি | Programmable | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (dynamic ODT) |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0°C to +95°C (TC) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |