K4B4G1646D-BFMA vs K4B4G1646E-BYK0 So sánh
So sánh chi tiết song song của K4B4G1646D-BFMA bằng Samsung Electronics và K4B4G1646E-BYK0 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BFMA ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4B4G1646D-BFMA | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Tổ chức | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tốc độ dữ liệu | 1866 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Điện áp cung cấp | 1.5V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Hộp | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| Latency CAS | Programmable | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (dynamic ODT) |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| Nhiệt độ hoạt động | — | 0°C to +95°C (TC) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |