K9MDG08U5M vs K9HCG08U1M তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K9MDG08U5M নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K9HCG08U1M নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K9MDG08U5M K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K9HCG08U1M K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9HCG08U1M ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K9MDG08U5M K9HCG08U1M
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ MLC Large Block NAND Flash —
Density 16 Gbit (2 GB) —
সংগঠন 16G x 8 bit 8G x 8
Cell Type MLC (2 bits per cell) —
Supply Voltage Min 2.7 V —
Supply Voltage Max 3.6 V —
ইন্টারফেস Asynchronous x8 multiplexed address/data —
প্যাকেজ 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm TSOP-48 (PDSO48)
Terminals 48 —
Circuits 1 —
Die Configuration Dual stacked —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +105C (TA)
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Page Read Time (tR) [DATA_NEEDED: tR] —
Program Time (tPROG) [DATA_NEEDED: tPROG] [DATA_NEEDED: program time]
RoHS স্ট্যাটাস unknown —
Memory Technology — MLC NAND Flash
Total Capacity — 64 Gbit
ডেটা বাস প্রস্থ — 8 bit
ইন্টারফেস টাইপ — Asynchronous NAND (multiplexed address/data/command)
সাপ্লাই ভোল্টেজ — [DATA_NEEDED: supply voltage]
Read Time (tR) — [DATA_NEEDED: read time]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]
Ready/Busy Output — Yes (R/B#)
Die Technology — Samsung E-die (per datasheet family)
Full Ordering Code — K9HCG08U1M-PCB0 / K9HCG08U1M-PCB0T00

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট