K9MDG08U5M vs K9HCG08U1M مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K9MDG08U5M توسط Samsung Electronics و K9HCG08U1M توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K9MDG08U5M | K9HCG08U1M |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | MLC Large Block NAND Flash | — |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | — |
| سازمان | 16G x 8 bit | 8G x 8 |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | — |
| Supply Voltage Min | 2.7 V | — |
| Supply Voltage Max | 3.6 V | — |
| رابط | Asynchronous x8 multiplexed address/data | — |
| بسته‌بندی | 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm | TSOP-48 (PDSO48) |
| Terminals | 48 | — |
| Circuits | 1 | — |
| Die Configuration | Dual stacked | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +105C (TA) |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Page Read Time (tR) | [DATA_NEEDED: tR] | — |
| Program Time (tPROG) | [DATA_NEEDED: tPROG] | [DATA_NEEDED: program time] |
| وضعیت RoHS | unknown | — |
| Memory Technology | — | MLC NAND Flash |
| Total Capacity | — | 64 Gbit |
| عرض گذرگاه داده | — | 8 bit |
| نوع رابط | — | Asynchronous NAND (multiplexed address/data/command) |
| ولتاژ تغذیه | — | [DATA_NEEDED: supply voltage] |
| Read Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: read time] |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance] |
| Ready/Busy Output | — | Yes (R/B#) |
| Die Technology | — | Samsung E-die (per datasheet family) |
| Full Ordering Code | — | K9HCG08U1M-PCB0 / K9HCG08U1M-PCB0T00 |