K9PDG08U5M vs K9XXG08U0M তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K9PDG08U5M নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K9XXG08U0M নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics
K9PDG08U5M ✗ জীবনকালের সমাপ্তি
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K9PDG08U5M | K9XXG08U0M |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | EEPROM | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | উৎপাদন শেষ | Obsolete |
| মেমরি টাইপ | NAND Flash (SLC) | NAND Flash |
| Density | 4 Gbit | 8 G-bit |
| সংগঠন | x8 (multiplexed I/O) | 1G x 8 bit |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | 2.7 V to 3.6 V (3.3V device) |
| প্যাকেজ | TSOP1-48 | 48-pin TSOP-I |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | — |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | 20 us |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Access Interface | Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control | — |
| Ready/Busy Output | Yes (R/B, open-drain) | — |
| Write Protect Pin | Yes (/WP) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Spare Area | — | 256 M-bit (per K9K8G08U0M) |
| ইন্টারফেস | — | 8-bit parallel NAND (command/address/data multiplexed) |
| Access Interface Standard | — | Samsung legacy NAND command set |
| Bad Block Management | — | Factory bad block marking (host-managed ECC required) |
| Cell Type | — | SLC (K9K8G08U0M) / MLC (K9G8G08U0M variants) |
| ECC Requirement | — | External ECC by host controller |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |