K9PDG08U5M vs K9XXG08U0M 비교
다음의 상세 나란히 비교: K9PDG08U5M 제조: Samsung Electronics 및 K9XXG08U0M 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K9PDG08U5M | K9XXG08U0M |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | EEPROM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | Obsolete |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.20 | $5.60 |
| 메모리 유형 | NAND Flash (SLC) | NAND Flash |
| Density | 4 Gbit | 8 G-bit |
| 메모리 구성 | x8 (multiplexed I/O) | 1G x 8 bit |
| 공급 전압 | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | 2.7 V to 3.6 V (3.3V device) |
| 패키지 | TSOP1-48 | 48-pin TSOP-I |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | — |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | 20 us |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Access Interface | Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control | — |
| Ready/Busy Output | Yes (R/B, open-drain) | — |
| Write Protect Pin | Yes (/WP) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Spare Area | — | 256 M-bit (per K9K8G08U0M) |
| 인터페이스 | — | 8-bit parallel NAND (command/address/data multiplexed) |
| Access Interface Standard | — | Samsung legacy NAND command set |
| Bad Block Management | — | Factory bad block marking (host-managed ECC required) |
| Cell Type | — | SLC (K9K8G08U0M) / MLC (K9G8G08U0M variants) |
| ECC Requirement | — | External ECC by host controller |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |