M29W128GL70N3E vs M29W256GH70N3E তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29W128GL70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29W256GH70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
M29W128GL70N3E M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GL70N3E ✓ সক্রিয়
Micron Technology
M29W256GH70N3E M29W256GH70N3E - 256Mb Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W256GH70N3E - 256Mb Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W256GH70N3E ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার M29W128GL70N3E M29W256GH70N3E
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি Flash Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Parallel)
Density 128 Mbit 256 Mbit (32 MB)
সংগঠন 16M x8 / 8M x16 32M x 8 / 16M x 16
Access Time 70 ns 70 ns
সাপ্লাই ভোল্টেজ 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) 3 V
ইন্টারফেস Parallel Parallel (asynchronous)
Boot Block Configuration Bottom boot (GL suffix) —
অপারেটিং তাপমাত্রা -40C to +125C -40C to +125C
প্যাকেজ 56-pin TSOP 56-TSOP
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Automotive Qualification Automotive grade ordering code (N3E) —
Bus Width Mode Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
ডেটা বাস প্রস্থ — 8/16 bit (BYTE# selectable)
Programming Type — Command-set program/erase, block organized
Common Flash Interface — Yes (CFI)
Product Longevity Program — No (per family data)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট