MC9S12DP512CPV vs MC9S12DG128CPV তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MC9S12DP512CPV নির্দিষ্ট NXP Semiconductors ও MC9S12DG128CPV নির্দিষ্ট NXP Semiconductors. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
NXP Semiconductors
MC9S12DP512CPV - 16-Bit HCS12 MCU, 512KB Flash, 112-LQFP | NXP
MC9S12DP512CPV ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MC9S12DP512CPV | MC9S12DG128CPV |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| ক্যাটাগরি | Microcontrollers | Microcontrollers |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Core | HCS12 (16-bit) | — |
| Bus Frequency | 25 MHz | — |
| Program Memory (Flash) | 512 KB (512K x 8) | 128 KB (128K x 8) |
| RAM Size | 12 KB (12K x 8) | — |
| EEPROM | 4 KB | 2 KB |
| Number of I/O Lines | 91 | — |
| প্যাকেজ / কেস | 112-LQFP (20 x 20 mm) | 112-LQFP (20 x 20 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 5.0 V (4.5 V to 5.5 V) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40 C to +85 C (industrial) | -40 C to +125 C (automotive) |
| ADC | 2 x 8-channel, 10-bit | — |
| PWM Channels | 8 | — |
| Enhanced Capture Timer | 8-channel 16-bit ECT | — |
| SCI (UART) | 2 | — |
| SPI | 1 | — |
| I2C | 1 | — |
| CAN | 1 x CAN 2.0 | — |
| Oscillator | Internal PLL with external crystal | — |
| Debug Interface | BDM (Background Debug Mode) | Background Debug Mode (BDM) |
| Process Technology | 0.25 um Flash | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (lead-free) | [DATA_NEEDED: RoHS status from manufacturer] |
| Core Architecture | — | HCS12 (16-bit CISC) |
| Maximum CPU Clock | — | 25 MHz |
| Data Memory (RAM) | — | 8 KB |
| Number of I/O Pins | — | 91 |
| Analog-to-Digital Converter | — | 8-channel, 10-bit ATD |
| CAN Modules | — | Up to 3 x MSCAN (CAN 2.0A/B) |
| Serial Interfaces | — | 2 x SCI (UART), 1 x SPI, 1 x I2C |
| Timer | — | Enhanced Capture Timer (ECT), 8 channels |
| Operating Voltage | — | 4.5 V to 5.5 V (single 5V supply) |
| MSL লেভেল | — | 3 (168 hours) |
| Flash Endurance | — | 100,000 write/erase cycles (typical) |