MRF6S9160HSR3 vs MRF6S9160HR3 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MRF6S9160HSR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors ও MRF6S9160HR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
NXP Semiconductors
MRF6S9160HSR3 - 880MHz 35W RF Power LDMOS | NXP Semiconductors
MRF6S9160HSR3 ⚠ শেষ কিনার সময়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MRF6S9160HSR3 | MRF6S9160HR3 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | শেষবার কেনার সুযোগ | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET | — |
| Application | RF Power Amplifier | — |
| Operating Frequency | 865 MHz to 960 MHz | — |
| Test Frequency | 880 MHz | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Rated | 68 V | — |
| Operating Voltage (VDD) | 28 V | — |
| Test Bias Current (IDQ) | 1.2 A | — |
| Output Power (Pout, Avg.) | 35 W Avg. | — |
| Power Gain | 20.9 dB typical at 880 MHz | — |
| Drain Efficiency | 31% typical at 880 MHz | — |
| ACPR @ 750 kHz Offset | -46.8 dBc (N-CDMA) | — |
| প্যাকেজ | NI-780S (CASE 465-06, STYLE 1) ceramic flange-mount | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Flange / Chassis Mount with screw holes | Chassis/Surface flange mount (screw-down) |
| Lead-Free Status | Lead free (HSR3 suffix) | — |
| Designed Waveforms | N-CDMA, GSM, GSM EDGE, multicarrier | — |
| Technology | — | RF Power MOSFET (lateral N-channel, enhancement mode) |
| Frequency Band | — | 880 MHz (single-band cellular UHF) |
| Operating Frequency Range | — | [DATA_NEEDED: full datasheet frequency range] |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | — | [DATA_NEEDED: VDSS rating] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 28 V (typical operation) |
| Average Output Power (Pout avg) | — | 35 W (N-CDMA, 880 MHz) |
| Peak Output Power (Pout peak) | — | [DATA_NEEDED: peak Pout rating] |
| Power Gain (Gp) | — | 20.9 dB (typical at 880 MHz) |
| Drain Efficiency (ηD) | — | [DATA_NEEDED: efficiency at rated Pout] |
| Quiescent Bias Current (IDQ) | — | 1.2 A (typical) |
| প্যাকেজ / কেস | — | NI-780H-2L (CASE 465-06, STYLE 1), ceramic, flanged |
| Configuration | — | Single (single-ended, common-source) |
| Operating Mode | — | Enhancement mode, Class AB |
| Test Signal | — | Single N-CDMA |
| Maximum Power Dissipation | — | 565 W (absolute, per Partstack parametric record) |
| Lead Finish | — | [DATA_NEEDED: lead finish] |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | unknown |
| Manufacturer | — | Freescale Semiconductor (now NXP Semiconductors) |