MRF7S19100NBR1 vs MRF6S19100HR3 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MRF7S19100NBR1 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors ও MRF6S19100HR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
NXP Semiconductors
MRF6S19100HR3 - 22W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz N-CDMA | NXP
MRF6S19100HR3 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MRF7S19100NBR1 | MRF6S19100HR3 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) |
| Part Number | MRF7S19100NBR1 | MRF6S19100HR3 |
| Device Type | RF Power MOSFET (N-Channel Enhancement-Mode Lateral) | RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET) |
| Frequency Band | 1.93 GHz to 1.99 GHz | — |
| Test Frequency (typical) | 1.96 GHz | — |
| Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS, min) | 65 V | — |
| Drain Operating Voltage (VDD) | 28 V (nominal) | — |
| Quiescent Drain Current (IDQ) | 1000 mA | — |
| Output Power (Pout, average) | 29 W (single-carrier W-CDMA, 3GPP TM1 64 DPCH, 50% clipping) | — |
| Power Gain (Gp, typical) | 17.5 dB | — |
| Drain Efficiency (typical) | [DATA_NEEDED: typical drain efficiency %] | — |
| প্যাকেজ / কেস | TO-270 WB-4 (TO-272 WB-4), plastic over-molded, surface mount | NI-780H-2L (Case 465-06, Style 1) |
| Configuration | Single, N-Channel | — |
| মাউন্টিং স্টাইল | Surface Mount with copper ground flange (heatsink bolted) | — |
| JEDEC Terminal Code | JESD-30: R-PDFM-F4 | — |
| Terminal Finish (JESD-609) | e3 (tin-lead reflow compatible per manufacturer data) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | [DATA_NEEDED: operating temperature range C] | — |
| Storage Temperature Range | [DATA_NEEDED: storage temperature range C] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | compliant (per NXP product page) | Compliant (per NXP product page) |
| Lead-Free | yes | — |
| Technology | — | N-Channel LDMOS |
| Operating Frequency Range | — | 1930 MHz to 1990 MHz |
| Output Power (P1dB, Avg) | — | 22 W (N-CDMA Average) |
| Power Gain | — | 16.1 dB (typical at 1.99 GHz) |
| Drain Voltage (Vds) | — | 28 V |
| Quiescent Drain Current (Idq) | — | 900 mA (typical) |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Flanged / Screw-mount with ceramic body |
| Lead Style | — | Dual blade (HR3 suffix) |
| Operating Mode | — | Class AB (linear) |
| Target Applications | — | N-CDMA base station, TDMA, CDMA, multicarrier amplifier, PCS/cellular radio, WLL |