MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs K9T1G08U0M-PIB0 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT29F1G08ABAEAWP-IT:E নির্দিষ্ট Micron Technology ও K9T1G08U0M-PIB0 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E | K9T1G08U0M-PIB0 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | NRND |
| মেমরি সাইজ | 1 Gbit (128 MB) | — |
| সংগঠন | 128M x 8 | 128M x 8 bit |
| ইন্টারফেস | Parallel | Asynchronous NAND, 8-bit I/O bus |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 3.3 V | — |
| Access Time | 25 ns | — |
| Page Size | 2048 bytes + 64 bytes spare | 2 Kbytes + 64 bytes spare area |
| Block Size | 128 KB | 128 Kbytes (64 pages per block) |
| Program Time | 200 us (typical) | — |
| Erase Time | 2 ms (typical) | — |
| Endurance | 100K program/erase cycles | — |
| Data Retention | 10 years | [DATA_NEEDED: data retention spec] |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40C to +85C | [DATA_NEEDED: industrial vs commercial grade] |
| প্যাকেজ | TSOP-48 | 48-pin TSOP Type I (WSOP1) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount (TSOP) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| মেমরি টাইপ | — | Non-volatile NAND Flash (SLC) |
| Density | — | 1 Gbit (128 MB) |
| Cell Technology | — | SLC (Single-Level Cell) |
| VCC Supply Voltage | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Pb-Free (Lead-Free) | — | Yes (PIB0 suffix indicates Pb-free) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free variant) |
| Endurance (P/E Cycles) | — | [DATA_NEEDED: typical P/E endurance spec] |
| Programming Time per Page | — | [DATA_NEEDED: typical tPROG] |
| Block Erase Time | — | [DATA_NEEDED: typical tBERS] |
| Command Set | — | Standard NAND (ONFI-compatible legacy commands) |