MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs K9T1G08U0M-PIB0 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT29F1G08ABAEAWP-IT:E द्वारा Micron Technology और K9T1G08U0M-PIB0 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E | K9T1G08U0M-PIB0 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | NRND |
| मेमोरी आकार | 1 Gbit (128 MB) | — |
| संगठन | 128M x 8 | 128M x 8 bit |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Asynchronous NAND, 8-bit I/O bus |
| सप्लाई वोल्टेज | 3.3 V | — |
| Access Time | 25 ns | — |
| Page Size | 2048 bytes + 64 bytes spare | 2 Kbytes + 64 bytes spare area |
| Block Size | 128 KB | 128 Kbytes (64 pages per block) |
| Program Time | 200 us (typical) | — |
| Erase Time | 2 ms (typical) | — |
| Endurance | 100K program/erase cycles | — |
| Data Retention | 10 years | [DATA_NEEDED: data retention spec] |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +85C | [DATA_NEEDED: industrial vs commercial grade] |
| पैकेज | TSOP-48 | 48-pin TSOP Type I (WSOP1) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (TSOP) |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| मेमोरी प्रकार | — | Non-volatile NAND Flash (SLC) |
| Density | — | 1 Gbit (128 MB) |
| Cell Technology | — | SLC (Single-Level Cell) |
| VCC Supply Voltage | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Pb-Free (Lead-Free) | — | Yes (PIB0 suffix indicates Pb-free) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free variant) |
| Endurance (P/E Cycles) | — | [DATA_NEEDED: typical P/E endurance spec] |
| Programming Time per Page | — | [DATA_NEEDED: typical tPROG] |
| Block Erase Time | — | [DATA_NEEDED: typical tBERS] |
| Command Set | — | Standard NAND (ONFI-compatible legacy commands) |