MT40A256M16GE-083E vs MT40A256M16GE-075E:B তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A256M16GE-083E নির্দিষ্ট Micron Technology ও MT40A256M16GE-075E:B নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
MT40A256M16GE-083E MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron

MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron

MT40A256M16GE-083E ✗ জীবনকালের সমাপ্তি
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MT40A256M16GE-083E MT40A256M16GE-075E:B
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস উৎপাদন শেষ সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
সংগঠন 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 1200 MHz (DDR4-2400) 1.33 GHz
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2 V —
প্যাকেজ 96-ball FBGA, 9 x 14 mm 96-FBGA (9 x 14 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
ইন্টারফেস Parallel —
Technology CMOS DRAM —
ECCN EAR99 —
Country of Origin China —
হ্যালোজেন মুক্ত Compliant —
Lead Free Yes —
Introduction Date August 2017 —
Lifecycle Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) —
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade]
CAS লেটেন্সি [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C
মেমরি সাইজ — 4 Gbit
Memory Interface — Parallel
ডেটা রেট — 2666 MT/s (DDR4-2666)
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
Internal Banks — 16
I/O Type — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable generation
Special Features — Temperature controlled refresh (TCR)
Access Time — [DATA_NEEDED: CAS latency / access time]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট