MT41K256M16HA-107:E vs K4B4G1646D-BFMA তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT41K256M16HA-107:E নির্দিষ্ট Micron Technology ও K4B4G1646D-BFMA নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT41K256M16HA-107:E | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35V | 1.5V |
| প্যাকেজ | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| ইন্টারফেস | Parallel | — |
| ডেটা রেট | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| পিনের সংখ্যা | 96 | — |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS লেটেন্সি | 13 (typical) | Programmable |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |