MT41K256M16HA-107:E vs K4B4G1646D-BFMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng MT41K256M16HA-107:E sa pamamagitan ng Micron Technology at K4B4G1646D-BFMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ NakahandaSamsung Electronics
K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BFMA ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | MT41K256M16HA-107:E | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Brand | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Laki ng Memory | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V | 1.5V |
| Packhaging | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| Temperature na Operasyon | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| Interface | Parallel | — |
| Rate ng Data | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Bilang ng Pins | 96 | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latensya ng CAS | 13 (typical) | Programmable |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |
| Wala sa Halogen | — | Yes |