NT5AD512M16 vs K4A8G165WB-BCTD তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা NT5AD512M16 নির্দিষ্ট Nanya Technology ও K4A8G165WB-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | NT5AD512M16 | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | DRAM |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| সংগঠন | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gbit | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 Mbps |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| Operating Temperature (Commercial) | 0°C to +95°C | — |
| Operating Temperature (Industrial) | -40°C to +95°C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | Supported (DM per x16 lane) |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Supported |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0C to +85C |
| Die Generation | — | B-die |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount (BGA) |
| ইন্টারফেস | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| CAS লেটেন্সি | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |