RTAX2000D-1CQ352E vs RTAX2000D-1CQ352B তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা RTAX2000D-1CQ352E নির্দিষ্ট Microchip Technology ও RTAX2000D-1CQ352B নির্দিষ্ট Microchip Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Microchip Technology
RTAX2000D-1CQ352E - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA CQFP352 | Microchip
RTAX2000D-1CQ352E ✓ সক্রিয়Microchip Technology
RTAX2000D-1CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000D-1CQ352B ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | RTAX2000D-1CQ352E | RTAX2000D-1CQ352B |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ক্যাটাগরি | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Equivalent System Gates | 2000000 gates | 2,000,000 |
| Logic Organization | 19712 CLBs | — |
| Technology | Digital CMOS FPGA, antifuse (nonvolatile) | Antifuse (nonvolatile), Digital CMOS |
| প্যাকেজ | CQFP352 (352-terminal Ceramic Quad Flat Pack) | 352-pin Ceramic Column Grid Array (CQ352) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +125C | — |
| Family | RTAX-S/SL and RTAX-DSP Radiation-Tolerant FPGAs | RTAX-S/SL and RTAX-DSP (RTAX2000D) |
| Total Ionizing Dose (Functional) | 300 krad | — |
| Total Ionizing Dose (Rated) | 200 krad | — |
| DSP Mathblocks | Up to 120 | Up to 120 (18-bit x 18-bit MAC) |
| DSP MAC Performance | 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate | — |
| Embedded Memory | Up to 540 kbits with optional EDAC protection | Up to 540 kbits SRAM with optional EDAC |
| Programmability | One-time programmable (antifuse) | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | [DATA_NEEDED: core/supply voltage] | — |
| User I/O Terminals | [DATA_NEEDED: user I/O count for CQ352] | — |
| Max System Frequency | [DATA_NEEDED: max system frequency] | — |
| Radiation Environment Target | Space-based applications | — |
| Commercial Prototype Equivalent | Axcelerator family device | — |
| CLBs (Logic Cells) | — | 19,712 CLBs / 29,568 logic cells (per family organization) |
| DSP Performance | — | 125 MHz 18-bit x 18-bit multiply-accumulate |
| Total Ionizing Dose | — | 300 krad (Si) functional / 200 krad (Si) with operation |
| Core Supply Voltage | — | 1.5 V nominal (1.425 V to 1.575 V) |
| Speed Grade | — | -1 |
| Temperature Range | — | Commercial (C) |
| Configuration | — | Live at power-up, no external configuration device (antifuse) |
| Routing Features | — | Segmentable clocks, chip-wide highway routing, carry logic |
| Embedded SRAM Features | — | Built-in FIFO control logic |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount (ceramic column grid array) |
| Application Domain | — | Space-flight, radiation-tolerant |