RTAX2000SL-1CQ352PROTO vs RTAX2000DL-CQ352B তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা RTAX2000SL-1CQ352PROTO নির্দিষ্ট Microchip Technology ও RTAX2000DL-CQ352B নির্দিষ্ট Microchip Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Microchip Technology
RTAX2000SL-1CQ352PROTO RTAX2000SL-1CQ352PROTO - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Actel

RTAX2000SL-1CQ352PROTO - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Actel

RTAX2000SL-1CQ352PROTO ✓ সক্রিয়
Microchip Technology
RTAX2000DL-CQ352B RTAX2000DL-CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000DL-CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000DL-CQ352B ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার RTAX2000SL-1CQ352PROTO RTAX2000DL-CQ352B
ব্র্যান্ড Microchip Technology Microchip Technology
ক্যাটাগরি FPGA & CPLD FPGA & CPLD
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Family RTAX-S/SL Radiation-Tolerant FPGAs —
Equivalent System Gates 2,000,000 2,000,000
Configurable Logic Blocks (CLBs) 21,504 —
Logic Cells 32,256 [DATA_NEEDED: Logic Cells]
ASIC Gate Equivalent 250,000 —
Process Technology CMOS, antifuse interconnect —
প্যাকেজ CQFP-352 (ceramic quad flat pack) 352-terminal ceramic CQFP, metal-sealed
Terminal Pitch 0.500 mm 0.500 mm
Programmability One-Time Programmable (antifuse, OTP) —
Configuration Live at power-up, single-chip Live at power-up, no external boot PROM required
Embedded Memory Embedded SRAM with FIFO control logic Up to 540 kbits with optional EDAC protection
Radiation Tolerance Radiation-tolerant (space-flight qualified family) —
Variant Designation PROTO (prototyping device) —
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range for PROTO variant] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Core Voltage [DATA_NEEDED: core supply voltage] —
I/O Voltage [DATA_NEEDED: I/O supply voltage] —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] —
CLBs — 19,712
DSP Mathblocks — Up to 120
DSP MAC Performance — 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate
Programming Technology — Nonvolatile antifuse
Total Ionizing Dose (Functional) — 300 krad (Si)
Total Ionizing Dose (Parameter) — 200 krad (Si)
Core Supply Voltage (Nominal) — 1.5 V
Core Supply Voltage Range — 1.425 V to 1.575 V
Application Domain — Space flight systems

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট