1ED020I12B2XUMA1 vs 1ED3122MC12HXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1ED020I12B2XUMA1 von Infineon und 1ED3122MC12HXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1ED020I12B2XUMA1 1ED3122MC12HXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,65 $1,92
Driver Type Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated —
Isolation Technology Coreless transformer (magnetic coupling) Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage (Vrms) 4500 Vrms 5.7 kVrms
Number of Channels 1 1
Output Current (typ.) 2 A source / 2 A sink —
Propagation Delay (typ.) 35 ns 30 ns
Supported Switch Voltage Class Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET —
DESAT Protection Yes (programmable threshold) —
Miller Clamp Yes (integrated 2 A clamp FET) Active (integrated)
Input Supply (VCC1) 5 V (logic side) —
Output Supply (VCC2) Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V —
Gehäuse PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16) PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8)
Creepage Distance 8 mm —
Betriebstemperatur -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL-3 (per JEDEC J-STD-020) 2
Compliance RoHS compliant —
Product Type — Isolated Gate Driver (single-channel)
Maximum Transient Isolation (Vpk) — 8 kVpk
Output Current (source / sink) — 10 A / 9 A
Configuration — High-side, non-inverting
Supply Voltage (VCC / VBS) — 8 V to 35 V
Rise Time / Fall Time (typ.) — 15 ns / 30 ns
Short-Circuit Clamping — Yes
UVLO — Primary and secondary side
RoHS-Status — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

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