1ED020I12B2XUMA1 vs 1ED3122MC12HXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1ED020I12B2XUMA1 par Infineon et 1ED3122MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1ED020I12B2XUMA1 1ED3122MC12HXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,65 $1,92
Driver Type Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated —
Isolation Technology Coreless transformer (magnetic coupling) Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage (Vrms) 4500 Vrms 5.7 kVrms
Number of Channels 1 1
Output Current (typ.) 2 A source / 2 A sink —
Propagation Delay (typ.) 35 ns 30 ns
Supported Switch Voltage Class Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET —
DESAT Protection Yes (programmable threshold) —
Miller Clamp Yes (integrated 2 A clamp FET) Active (integrated)
Input Supply (VCC1) 5 V (logic side) —
Output Supply (VCC2) Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V —
Boîtier PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16) PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8)
Creepage Distance 8 mm —
Température de fonctionnement -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL-3 (per JEDEC J-STD-020) 2
Compliance RoHS compliant —
Product Type — Isolated Gate Driver (single-channel)
Maximum Transient Isolation (Vpk) — 8 kVpk
Output Current (source / sink) — 10 A / 9 A
Configuration — High-side, non-inverting
Supply Voltage (VCC / VBS) — 8 V to 35 V
Rise Time / Fall Time (typ.) — 15 ns / 30 ns
Short-Circuit Clamping — Yes
UVLO — Primary and secondary side
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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