1ED020I12B2XUMA1 vs 1ED3122MC12HXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1ED020I12B2XUMA1 por Infineon y 1ED3122MC12HXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1ED020I12B2XUMA1 1ED3122MC12HXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,65 $1,92
Driver Type Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated —
Isolation Technology Coreless transformer (magnetic coupling) Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage (Vrms) 4500 Vrms 5.7 kVrms
Number of Channels 1 1
Output Current (typ.) 2 A source / 2 A sink —
Propagation Delay (typ.) 35 ns 30 ns
Supported Switch Voltage Class Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET —
DESAT Protection Yes (programmable threshold) —
Miller Clamp Yes (integrated 2 A clamp FET) Active (integrated)
Input Supply (VCC1) 5 V (logic side) —
Output Supply (VCC2) Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V —
Encapsulado PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16) PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8)
Creepage Distance 8 mm —
Temperatura de funcionamiento -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL-3 (per JEDEC J-STD-020) 2
Compliance RoHS compliant —
Product Type — Isolated Gate Driver (single-channel)
Maximum Transient Isolation (Vpk) — 8 kVpk
Output Current (source / sink) — 10 A / 9 A
Configuration — High-side, non-inverting
Supply Voltage (VCC / VBS) — 8 V to 35 V
Rise Time / Fall Time (typ.) — 15 ns / 30 ns
Short-Circuit Clamping — Yes
UVLO — Primary and secondary side
Estado RoHS — Compliant

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