1ED3124MC12HXUMA1 vs 1ED44175N01BXTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1ED3124MC12HXUMA1 von Infineon und 1ED44175N01BXTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1ED3124MC12HXUMA1 1ED44175N01BXTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,45 $0,54
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) Non-inverting
Number of Drivers 1 —
Anzahl der Ausgänge 1 —
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
Anstiegszeit 15 ns —
Abfallzeit 30 ns —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C —
Gehäuse PG-DSO-8 (DSO-8) PG-SOT23-6-3 (6-lead)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
RoHS-Status Compliant Compliant
Funktion — Low-side gate driver
Number of Channels — 1
Gate Type — IGBT, MOSFET (single-channel)
Output Current (Source/Sink) — 2.6 A typical
Supply Voltage Range — Up to 25 V
Logic Input Compatibility — CMOS, LSTTL
Over-Current Protection (OCP) — Integrated (OCP pin)
FAULT Output — Yes (status reporting)
Enable-Pin — Yes
Rise/Fall Time — [DATA_NEEDED: rise/fall time ns]
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology — CMOS (latch-up immune)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datenblätter & Ressourcen

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