1ED3124MC12HXUMA1 vs 1ED44175N01BXTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1ED3124MC12HXUMA1 par Infineon et 1ED44175N01BXTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1ED3124MC12HXUMA1 1ED44175N01BXTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,45 $0,54
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) Non-inverting
Number of Drivers 1 —
Nombre de sorties 1 —
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
Temps de montée 15 ns —
Temps de descente 30 ns —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier PG-DSO-8 (DSO-8) PG-SOT23-6-3 (6-lead)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
Statut RoHS Compliant Compliant
Fonction — Low-side gate driver
Number of Channels — 1
Gate Type — IGBT, MOSFET (single-channel)
Output Current (Source/Sink) — 2.6 A typical
Supply Voltage Range — Up to 25 V
Logic Input Compatibility — CMOS, LSTTL
Over-Current Protection (OCP) — Integrated (OCP pin)
FAULT Output — Yes (status reporting)
Broche d'activation — Yes
Rise/Fall Time — [DATA_NEEDED: rise/fall time ns]
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology — CMOS (latch-up immune)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fiches techniques et ressources

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