1ED3124MC12HXUMA1 vs 1ED44175N01BXTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1ED3124MC12HXUMA1 por Infineon y 1ED44175N01BXTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1ED3124MC12HXUMA1 1ED44175N01BXTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,45 $0,54
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) Non-inverting
Number of Drivers 1 —
Número de salidas 1 —
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
Tiempo de subida 15 ns —
Tiempo de bajada 30 ns —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Encapsulado PG-DSO-8 (DSO-8) PG-SOT23-6-3 (6-lead)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
Estado RoHS Compliant Compliant
Función — Low-side gate driver
Number of Channels — 1
Gate Type — IGBT, MOSFET (single-channel)
Output Current (Source/Sink) — 2.6 A typical
Supply Voltage Range — Up to 25 V
Logic Input Compatibility — CMOS, LSTTL
Over-Current Protection (OCP) — Integrated (OCP pin)
FAULT Output — Yes (status reporting)
Patilla de habilitación — Yes
Rise/Fall Time — [DATA_NEEDED: rise/fall time ns]
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology — CMOS (latch-up immune)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

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