1ED44175N01BXTSA1 vs 2EDN7533RXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1ED44175N01BXTSA1 von Infineon und 2EDN7533RXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1ED44175N01BXTSA1 2EDN7533RXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,54 $0,55
Funktion Low-side gate driver Dual-channel low-side gate driver
Number of Channels 1 2
Gate Type IGBT, MOSFET (single-channel) —
Configuration Non-inverting —
Output Current (Source/Sink) 2.6 A typical —
Supply Voltage Range Up to 25 V —
Logic Input Compatibility CMOS, LSTTL —
Over-Current Protection (OCP) Integrated (OCP pin) —
FAULT Output Yes (status reporting) —
Enable-Pin Yes —
Rise/Fall Time [DATA_NEEDED: rise/fall time ns] 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gehäuse PG-SOT23-6-3 (6-lead) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS (latch-up immune) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 C to +150 C

Datenblätter & Ressourcen

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