1ED44175N01BXTSA1 vs 2EDN7533RXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1ED44175N01BXTSA1 por Infineon e 2EDN7533RXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1ED44175N01BXTSA1 2EDN7533RXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,54 $0,55
Função Low-side gate driver Dual-channel low-side gate driver
Number of Channels 1 2
Gate Type IGBT, MOSFET (single-channel) —
Configuration Non-inverting —
Output Current (Source/Sink) 2.6 A typical —
Supply Voltage Range Up to 25 V —
Logic Input Compatibility CMOS, LSTTL —
Over-Current Protection (OCP) Integrated (OCP pin) —
FAULT Output Yes (status reporting) —
Pino de habilitação Yes —
Rise/Fall Time [DATA_NEEDED: rise/fall time ns] 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Encapsulamento PG-SOT23-6-3 (6-lead) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS (latch-up immune) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Status RoHS Compliant Compliant
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
Temperatura de junção de operação — -40 C to +150 C

Fichas técnicas e recursos

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