1ED44175N01BXTSA1 vs 2EDN7533RXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1ED44175N01BXTSA1 par Infineon et 2EDN7533RXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1ED44175N01BXTSA1 2EDN7533RXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,54 $0,55
Fonction Low-side gate driver Dual-channel low-side gate driver
Number of Channels 1 2
Gate Type IGBT, MOSFET (single-channel) —
Configuration Non-inverting —
Output Current (Source/Sink) 2.6 A typical —
Supply Voltage Range Up to 25 V —
Logic Input Compatibility CMOS, LSTTL —
Over-Current Protection (OCP) Integrated (OCP pin) —
FAULT Output Yes (status reporting) —
Broche d'activation Yes —
Rise/Fall Time [DATA_NEEDED: rise/fall time ns] 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Boîtier PG-SOT23-6-3 (6-lead) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS (latch-up immune) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
Température de jonction en fonctionnement — -40 C to +150 C

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