1EDB8275FXUMA1 vs 1EDN8511BXUSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDB8275FXUMA1 von Infineon und 1EDN8511BXUSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDB8275FXUMA1 1EDN8511BXUSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,72 $0,54
Funktion Single-channel isolated gate driver —
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (Vrms) 3000 Vrms —
Peak Source Current (typ.) 5.4 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.8 A —
CMTI (min.) 300 V/ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Output-side Supply Voltage Up to 40 V (per datasheet family) —
Input-side Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC input range] —
UVLO Yes (input and output side) —
Miller Clamp Available in family —
Gehäuse PG-DSO-8 (150 mil wide-body) PG-SOT23-6-2
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C (industrial) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Channel Count — 1
Driver Configuration — Low-side
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Input Stage — Inverting and non-inverting
Propagation Delay Accuracy — [DATA_NEEDED: typical propagation delay]
UVLO Threshold — 8 V
Driver Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range upper limit]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 °C to +150 °C
Pin-Anzahl — 6
Logic Input Compatibility — TTL / CMOS
Target Switch Type — Power MOSFET, GaN HEMT
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datenblätter & Ressourcen

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