1EDB8275FXUMA1 vs 1EDN8511BXUSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDB8275FXUMA1 por Infineon e 1EDN8511BXUSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDB8275FXUMA1 1EDN8511BXUSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,72 $0,54
Função Single-channel isolated gate driver —
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (Vrms) 3000 Vrms —
Peak Source Current (typ.) 5.4 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.8 A —
CMTI (min.) 300 V/ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Output-side Supply Voltage Up to 40 V (per datasheet family) —
Input-side Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC input range] —
UVLO Yes (input and output side) —
Miller Clamp Available in family —
Encapsulamento PG-DSO-8 (150 mil wide-body) PG-SOT23-6-2
Faixa de temperatura de operação -40 C to +125 C (industrial) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Channel Count — 1
Driver Configuration — Low-side
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Input Stage — Inverting and non-inverting
Propagation Delay Accuracy — [DATA_NEEDED: typical propagation delay]
UVLO Threshold — 8 V
Driver Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range upper limit]
Temperatura de junção de operação — -40 °C to +150 °C
Contagem de pinos — 6
Logic Input Compatibility — TTL / CMOS
Target Switch Type — Power MOSFET, GaN HEMT
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

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