1EDB8275FXUMA1 vs 1EDN8511BXUSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDB8275FXUMA1 par Infineon et 1EDN8511BXUSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDB8275FXUMA1 1EDN8511BXUSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,72 $0,54
Fonction Single-channel isolated gate driver —
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (Vrms) 3000 Vrms —
Peak Source Current (typ.) 5.4 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.8 A —
CMTI (min.) 300 V/ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Output-side Supply Voltage Up to 40 V (per datasheet family) —
Input-side Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC input range] —
UVLO Yes (input and output side) —
Miller Clamp Available in family —
Boîtier PG-DSO-8 (150 mil wide-body) PG-SOT23-6-2
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C (industrial) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Channel Count — 1
Driver Configuration — Low-side
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Input Stage — Inverting and non-inverting
Propagation Delay Accuracy — [DATA_NEEDED: typical propagation delay]
UVLO Threshold — 8 V
Driver Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range upper limit]
Température de jonction en fonctionnement — -40 °C to +150 °C
Nombre de broches — 6
Logic Input Compatibility — TTL / CMOS
Target Switch Type — Power MOSFET, GaN HEMT
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fiches techniques et ressources

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