1EDI60N12AFXUMA1 vs 1EDN6550BXTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDI60N12AFXUMA1 von Infineon und 1EDN6550BXTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDI60N12AFXUMA1 1EDN6550BXTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,21 $0,44
Driver Configuration Single high-side, galvanically isolated High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic (coreless transformer) —
Isolation Voltage 1200 V working voltage —
Maximum Output Voltage 40 V —
Source Current (typ.) 10 A —
Sink Current (typ.) 9.4 A —
Supply Voltage (VDD) 3.1 V to 17 V —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS/TTL —
Creepage Distance (min.) 4 mm —
Short-Circuit Clamping Yes (separate sink/source outputs) —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Gehäuse PG-DSO-8-51 (DSO-8) PG-SOT23-6-3 (SOT-23-6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS-Status Compliant Compliant
Product Type — Single-channel gate driver IC
Anzahl der Ausgänge — 1
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Minimum Pulse Width — 29 ns
Input Type — Differential (TTL-compatible)
Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VCC range]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Pin-Anzahl — 6

Datenblätter & Ressourcen

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