1EDI60N12AFXUMA1 vs 1EDN6550BXTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDI60N12AFXUMA1 por Infineon e 1EDN6550BXTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDI60N12AFXUMA1 1EDN6550BXTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,21 $0,44
Driver Configuration Single high-side, galvanically isolated High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic (coreless transformer) —
Isolation Voltage 1200 V working voltage —
Maximum Output Voltage 40 V —
Source Current (typ.) 10 A —
Sink Current (typ.) 9.4 A —
Supply Voltage (VDD) 3.1 V to 17 V —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS/TTL —
Creepage Distance (min.) 4 mm —
Short-Circuit Clamping Yes (separate sink/source outputs) —
Temperatura de operação -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulamento PG-DSO-8-51 (DSO-8) PG-SOT23-6-3 (SOT-23-6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS Compliant Compliant
Product Type — Single-channel gate driver IC
Número de saídas — 1
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Minimum Pulse Width — 29 ns
Input Type — Differential (TTL-compatible)
Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VCC range]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Contagem de pinos — 6

Fichas técnicas e recursos

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