1EDI60N12AFXUMA1 vs 1EDN6550BXTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDI60N12AFXUMA1 par Infineon et 1EDN6550BXTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDI60N12AFXUMA1 1EDN6550BXTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,21 $0,44
Driver Configuration Single high-side, galvanically isolated High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic (coreless transformer) —
Isolation Voltage 1200 V working voltage —
Maximum Output Voltage 40 V —
Source Current (typ.) 10 A —
Sink Current (typ.) 9.4 A —
Supply Voltage (VDD) 3.1 V to 17 V —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS/TTL —
Creepage Distance (min.) 4 mm —
Short-Circuit Clamping Yes (separate sink/source outputs) —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Boîtier PG-DSO-8-51 (DSO-8) PG-SOT23-6-3 (SOT-23-6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant Compliant
Product Type — Single-channel gate driver IC
Nombre de sorties — 1
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Minimum Pulse Width — 29 ns
Input Type — Differential (TTL-compatible)
Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VCC range]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Nombre de broches — 6

Fiches techniques et ressources

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