1EDN7116GXTMA1 vs 1ED44176N01FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7116GXTMA1 von Infineon und 1ED44176N01FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7116GXTMA1 1ED44176N01FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,84 $0,54
Funktion Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Low-side gate driver with integrated OCP, FAULT, EN
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) —
Peak Sink Current 4 A (typ) —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +125 °C —
Gehäuse PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) 8-pin PG-DSO8 (SOIC-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL3 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS-Status Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Configuration — Non-inverting, single-channel, low-side
Number of Channels — 1
Input Compatibility — CMOS, TTL
VCC Supply Voltage Range — 4.5 V to 25 V
Peak Source Current (typ.) — 0.8 A
Peak Sink Current (typ.) — 1.75 A
Propagation Delay (typ.) — 50 ns
OCP Threshold Tolerance — ±5%
OCP Reference — 800 mV to 1.2 V (per LCSC listing)
Enable Input — Yes (EN, active-high)
Fault Output — Yes (FAULT, open-drain)
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C
Family — EiceDRIVER

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