1EDN7116GXTMA1 vs 1ED44176N01FXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7116GXTMA1 par Infineon et 1ED44176N01FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7116GXTMA1 1ED44176N01FXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,84 $0,54
Fonction Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Low-side gate driver with integrated OCP, FAULT, EN
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) —
Peak Sink Current 4 A (typ) —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +125 °C —
Boîtier PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) 8-pin PG-DSO8 (SOIC-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL3 [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Configuration — Non-inverting, single-channel, low-side
Number of Channels — 1
Input Compatibility — CMOS, TTL
VCC Supply Voltage Range — 4.5 V to 25 V
Peak Source Current (typ.) — 0.8 A
Peak Sink Current (typ.) — 1.75 A
Propagation Delay (typ.) — 50 ns
OCP Threshold Tolerance — ±5%
OCP Reference — 800 mV to 1.2 V (per LCSC listing)
Enable Input — Yes (EN, active-high)
Fault Output — Yes (FAULT, open-drain)
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Family — EiceDRIVER

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