1EDN7116GXTMA1 vs 1EDN7136UXTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7116GXTMA1 von Infineon und 1EDN7136UXTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7116GXTMA1 1EDN7136UXTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,84 $0,74
Funktion Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs High-side / Low-side gate driver IC
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) 1 A
Peak Sink Current 4 A (typ) 2 A
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +125 °C -40 C to +150 C
Gehäuse PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL3 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
Anzahl der Ausgänge — 2 (high-side and low-side)
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes (per Infineon product family convention)

Datenblätter & Ressourcen

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